Series HS26-AP Sensoris/Transductoris Currentis

DESCRIPTIO:

Ad mensuram electronicam currentis: DC, AC, pulsatilis ..., cum separatione galvanica inter circuitum primarium et secundarium.

Contacta nos Deprime

singula producti

Proprietates

◆ Circuitus apertus effectu Hall utens

◆ Latus primarium et latus secundarium separantur.

◆ Consumptio energiae humilis

◆ Lata varietas

◆ Nulla iactura insertionis

◆ Materiae primae secundum UL94-V0 agnitae

Applicatio

◆ Invertor

◆ Fontes Potentiae Ininterruptibiles (UPS)

◆ Conversores statici pro impulsionibus motorum DC

◆ Fontes Potentiae Commutati Modi (SMPS)

◆ Fontes potentiae ad usus soldadurae

◆ Administratio pilae

Index exemplarium

exemplar producti
Modellum	Currens ingressus nominalis I_PN(A)	Spatium mensurae I_P._M.(A)
HS26-50A-P	quinquaginta	± 150
HS26-75A-P	75	± 225
HS26-100A - P	centum	± 300
HS26-150A - P	CL	± 450
HS26-200A - P	ducenti	± 600
HS26-300A - P	trecenti	± 900
HS26-400A - P	quadringenti	± 900

Specificatio HS26-AP

Parametrum	Symbolum	Unitas	Valor	Conditiones Probationis
Data Electrica
Tensio alimentationis (±5%) ⁽¹⁾	In_C.	In	±15
Consumptio currentis	Ego_C.	magister artium	±15
Tensio egressus (egressus analogus)	In_EX	mV	±4V±40	@ ± I_PN, R. _L.= 10 kΩ, T_A= 25°C
Capacitas supercurrentis (1ms)	Ego_{Computatrum personale}	Apud	L* I_PN
Resistentia insulationis	R_EST	MΩ	>1000	@500VDC
Impedans interna	R_EX	O	centum	approximatio
Resistor Oneris ⁽²⁾	R_L.	KΩ	>10
Data Efficaciae
Linearitas ⁽³⁾(0…± I_PN)	e_L.	% ex I_PN
Praecisio	X	%		@ Ego_PN, T._A= 25°C
Praecisio	X	%		(remove tensionem offset nullam)
Tensio nullae compensationis	In_ESNE?	mV		@T_A= 25°C
Tensio magnetica offset	In_DE	mV		@I_P.=0;
Tensio magnetica offset	In_DE	mV		Post semel impetum currentis aestimati
Derivatio temperaturae a zero offset	TCV_ESNE?	mV/K		@HS26 -50A ~75A- P
Derivatio temperaturae a zero offset	TCV_ESNE?	mV/K		@HS26-100A ~ 400A - P
Aberratio temperaturae exitus	TCV_EX	%/K		@% lectionis
Tempus responsionis	t_r	µS		@ 90% I _PNresponsio gradus
Currens sequitur d_ego/d_t	d_ego/d_t	A/µS	>50
Latitudo frequentiae ⁽⁴⁾	Album et Nigrum	kHz	DC~50	@-3dB
Data Generalia
Temperatura ambientis operandi	T._A	Celsius	-40….+85
Temperatura repositionis ambientis	T._S.	Celsius	-40….+105
Missa	m	g	triginta	approximatio

Notitia

(1) Sub condicione alimentationis ±12V ≤ VC ≤ ± 15V, ambitus mensurae sensoris minuetur;

(2) Si emptor resistentiam oneris 1 KΩ adhibet, fluxus electricus metiendus ad fluxum electricum nominalem limitandus est. Si fluxus electricus scalae plenae metiendus est, resistentia oneris saltem 10 KΩ esse debet.

(3) Data linearitatis aberrationem zero non includunt.

Data insulationis

Parametrum	Symbolum	Unitas	Valor	Nota
Tensio tolerata isolationis AC, probatio RMS @ 50Hz, 1min	IN_D.	KV	3.6
Tensio sustinendi impulsum 1.2/50µS	IN_IN	KV	6.6
Materia testae	-	-	UL94-V0	PPO
Index vestigationis relativus	CTI	In	275
Distantia reptationis	d_CP	mm	4.5
Spatium electricum	d_IBI	mm	4.5

Limites maximi

Parametrum	Symbolum	Unitas	Valor
Tensio alimentationis	VC	In	±18
Currens egressus (egressus ad terram breviter coniunctus)	Ex	magister artium	-
Effusio electrostatica - effusio contactus	VESD	In	Quadringenta milia